Bipolartransistor 2SD1211

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1211

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 1 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 330
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92MOD

Pinbelegung des 2SD1211

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1211 kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 330 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1211-R liegt im Bereich von 130 bis 220, die des 2SD1211-S im Bereich von 185 bis 330.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1211-Transistor könnte nur mit "D1211" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1211

Sie können den Transistor 2SD1211 durch einen 2SC3332 oder KSC1009C ersetzen.
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