Bipolartransistor HSD1609S-D

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 0.9 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SD1609-D transistor

Der HSD1609S-D wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSD1609S-D kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSD1609S liegt im Bereich von 60 bis 320, die des HSD1609S-B im Bereich von 60 bis 120, die des HSD1609S-C im Bereich von 100 bis 200.Der komplementäre PNP-Transistor zum HSD1609S-D ist der HSB1109S-D.Sie können den Transistor HSD1609S-D durch einen 2SC2230, 2SC2230A, 2SC2383, 2SC2383-Y, 2SC3228, 2SC3228-Y, 2SC3332, 2SC3467, 2SC3467-F, 2SC3468, 2SC3468-F, 2SC3478, 2SC3478A, KSC2383, KSC2383Y, KTC3228 oder KTC3228Y ersetzen.