Bipolartransistor 2SC2631

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2631

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 130 bis 330
  • Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2631

Der 2SC2631 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2631 kann eine Gleichstromverstärkung von 130 bis 330 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2631-R liegt im Bereich von 130 bis 220, die des 2SC2631-S im Bereich von 185 bis 330, die des 2SC2631-T im Bereich von 360 bis 700.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2631-Transistor könnte nur mit "C2631" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2631 ist der 2SA1123.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2631

Sie können den Transistor 2SC2631 durch einen 2SC2230, 2SC2230A, 2SC2632, 2SC2909, 2SC2910, 2SC3332, BF420 oder BF422 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com