Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA562TM
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -30 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -35 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA562TM
Der 2SA562TM wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA562TM kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA562TM-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA562TM-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA562TM-Transistor könnte nur mit "A562TM" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA562TM ist der 2SC1959.
