Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1317-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
Verlustleistung, max: 0.625 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 170
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1317-Q
Der 2SC1317-Q wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1317-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 170 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1317 liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SC1317-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SC1317-S im Bereich von 170 bis 340.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1317-Q-Transistor könnte nur mit "C1317-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1317-Q ist der 2SA719-Q.
SMD-Version des Transistors 2SC1317-Q
Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), KSC2859 (SOT-23), KTC3876 (SOT-23) und KTC3876S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1317-Q-Transistors.
