Bipolartransistor 2SD592

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD592

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.75 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 340
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SD592

Der 2SD592 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD592 kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD592-Q liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SD592-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SD592-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD592-Transistor könnte nur mit "D592" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD592 ist der 2SB621.

SMD-Version des Transistors 2SD592

Der 2SC2859 (SOT-23), 2SC4118 (SOT-323), 2SD874 (SOT-89), KTC3876 (SOT-23) und KTC3876S (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD592-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD592

Sie können den Transistor 2SD592 durch einen 2SC1383, 2SC1384, 2SC3940, 2SC3940A, 2SD545 oder 2SD592A ersetzen.
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