Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1209-E
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
Verlustleistung, max: 0.5 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 150 bis 300
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1209-E
Der 2SC1209-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1209-E kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1209 liegt im Bereich von 55 bis 300, die des 2SC1209-C im Bereich von 55 bis 110, die des 2SC1209-D im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1209-E-Transistor könnte nur mit "C1209-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1209-E ist der 2SA695-E.
SMD-Version des Transistors 2SC1209-E
Der 2SC3440 (SOT-23), 2SC3440-E (SOT-23), BC818 (SOT-23) und BC818W (SOT-323) ist die SMD-Version des 2SC1209-E-Transistors.
