Bipolartransistor 2SC1209

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 25 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 55 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
• Gehäuse: TO-92

Der 2SC1209 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SC1209 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1209-C liegt im Bereich von 55 bis 110, die des 2SC1209-D im Bereich von 90 bis 180, die des 2SC1209-E im Bereich von 150 bis 300.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1209-Transistor könnte nur mit "C1209" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1209 ist der 2SA695.Sie können den Transistor 2SC1209 durch einen MPS3706, MPS6601, MPS6601G, MPS6602 oder MPS6602G ersetzen.