Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1221-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.07 A
Verlustleistung, max: 1 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SB1221-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1221-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1221 liegt im Bereich von 60 bis 220, die des 2SB1221-R im Bereich von 100 bis 220.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1221-Q-Transistor könnte nur mit "B1221-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1221-Q ist der 2SC3941-Q.
SMD-Version des Transistors 2SB1221-Q
Der BF623 (SOT-89) und BF823 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB1221-Q-Transistors.
