Bipolartransistor 2SB549-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 160 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB549-P kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB549 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB549-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB549-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB549-S im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB549-P-Transistor könnte nur mit "B549-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB549-P ist der 2SD415-P.Der 2SB806 (SOT-89) und 2SD1007 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB549-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SB549-P durch einen 2SA1021, 2SA1021-Y, 2SA1220, 2SA1220-P, 2SA1220A, 2SA1220A-P, 2SA1249, 2SA1507, 2SA795, 2SA795A, 2SB1144, 2SB1167, 2SB1168, 2SB631, 2SB631-F, 2SB631K, 2SB631K-F, 2SB649, 2SB649-D, KSA1220, KSA1220-Y, KSA1220A, KSA1220A-Y, KTA1704, KTA1704-GR oder MJE254 ersetzen.