Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1144-S
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB1144-S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1144-S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1144 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1144-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1144-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1144-S-Transistor könnte nur mit "B1144-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1144-S ist der 2SD1684-S.
