Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1684-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD1684-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1684-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1684 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SD1684-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SD1684-T im Bereich von 200 bis 400.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1684-Q-Transistor könnte nur mit "D1684-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1684-Q ist der 2SB1144-Q.
SMD-Version des Transistors 2SD1684-Q
Der 2SC2881 (SOT-89), FMMT624 (SOT-23) und KTC4373 (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SD1684-Q-Transistors.