Bipolartransistor 2SB1085-D

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1085-D

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB1085-D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1085-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1085 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB1085-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1085-F im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1085-D-Transistor könnte nur mit "B1085-D" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1085-D ist der 2SD1562-D.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1085-D

Sie können den Transistor 2SB1085-D durch einen 2N6476, 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1077, 2SA1078, 2SA1304, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SA740, 2SA940, 2SA940A, 2SA985, 2SA985-R, 2SA985A, 2SA985A-R, 2SB1085A, 2SB1085A-D, 2SB1186A, 2SB1186A-D, 2SB546, 2SB546A, 2SB546A-L, 2SB547, 2SB630, 2SB630-R, 2SB861, 2SB861B, 2SB940, 2SB940-Q, 2SB940A, 2SB940A-Q, BD942, BD942F, BD956, BDT88, BDT88F, FJP1943, FJPF1943, KSA1304, KSA940, KSB546, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, NTE292 oder NTE398 ersetzen.
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