Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA795-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 65 bis 110
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SA795-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA795-P kann eine Gleichstromverstärkung von 65 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA795 liegt im Bereich von 65 bis 330, die des 2SA795-Q im Bereich von 90 bis 155, die des 2SA795-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SA795-S im Bereich von 185 bis 330.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA795-P-Transistor könnte nur mit "A795-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA795-P ist der 2SC1565-P.