Bipolartransistor 2SA795A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA795A-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -180 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 65 bis 110
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SA795A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA795A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 65 bis 110 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA795A liegt im Bereich von 65 bis 330, die des 2SA795A-Q im Bereich von 90 bis 155, die des 2SA795A-R im Bereich von 130 bis 220, die des 2SA795A-S im Bereich von 185 bis 330.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA795A-P-Transistor könnte nur mit "A795A-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA795A-P ist der 2SC1565A-P.

SMD-Version des Transistors 2SA795A-P

Der KST93 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA795A-P-Transistors.
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