Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA564-P
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -25 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -25 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA564-P
Der 2SA564-P wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA564-P kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA564 liegt im Bereich von 65 bis 700, die des 2SA564-O im Bereich von 65 bis 130, die des 2SA564-Q im Bereich von 130 bis 260, die des 2SA564-R im Bereich von 180 bis 360, die des 2SA564-S im Bereich von 260 bis 520, die des 2SA564-T im Bereich von 360 bis 700.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA564-P-Transistor könnte nur mit "A564-P" gekennzeichnet sein.
