Bipolartransistor 2SA1306-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1306-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -160 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SA1306-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1306-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1306 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des 2SA1306-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1306-O-Transistor könnte nur mit "A1306-O" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1306-O

Sie können den Transistor 2SA1306-O durch einen 2SA1006, 2SA1006A, 2SA1006B, 2SA1011, 2SA1306A, 2SA1306A-O, 2SA1306B, 2SA1306B-O, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA968, 2SA968A, 2SA968AO, 2SA968B, 2SA968BO, 2SA968O, 2SB1186A, 2SB630, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, KTA1659, KTA1659A, KTA1659AO, KTA1659O, KTA968, KTA968A, KTA968AO, KTA968O, KTB1369, KTB1369O, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 oder MJE5850G ersetzen.
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