Transistor bipolaire SS9012G

Caractéristiques électriques du transistor SS9012G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 112 à 166
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du SS9012G

Le SS9012G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor SS9012G peut avoir un gain en courant continu de 112 à 166. Le gain en courant continu du SS9012 est compris entre 64 à 202, celui du SS9012D entre 64 à 91, celui du SS9012E entre 78 à 112, celui du SS9012F entre 96 à 135, celui du SS9012H entre 144 à 202.

Complémentaire du transistor SS9012G

Le transistor NPN complémentaire du SS9012G est le SS9013G.

Substituts et équivalents pour le transistor SS9012G

Vous pouvez remplacer le transistor SS9012G par 2N4403, 2SA643, 2SA695, 2SA695-D, 2SB564A, KN2907, KSA643, KSB564A, KTC8550, KTC8550C, KTC9012, KTN2907, M8550, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6562, MPS6563, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN2905, PN2907, S8550, S9012, S9012G, SS8550, ZTX549, ZTX948 ou ZTX949.
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