Transistor bipolaire S9012G

Caractéristiques électriques du transistor S9012G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 112 à 166
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du S9012G

Le S9012G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor S9012G peut avoir un gain en courant continu de 112 à 166. Le gain en courant continu du S9012 est compris entre 64 à 300, celui du S9012D entre 64 à 91, celui du S9012E entre 78 à 112, celui du S9012F entre 96 à 135, celui du S9012H entre 144 à 202, celui du S9012I entre 190 à 300.

Complémentaire du transistor S9012G

Le transistor NPN complémentaire du S9012G est le S9013G.

Substituts et équivalents pour le transistor S9012G

Vous pouvez remplacer le transistor S9012G par 2N4403, 2SB564A, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550C, KTC9012, KTN2907, M8550, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6562, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S8550, SS8550, ZTX549, ZTX550 ou ZTX949.
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