Transistor bipolaire S9012I

Caractéristiques électriques du transistor S9012I

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 190 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du S9012I

Le S9012I est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor S9012I peut avoir un gain en courant continu de 190 à 300. Le gain en courant continu du S9012 est compris entre 64 à 300, celui du S9012D entre 64 à 91, celui du S9012E entre 78 à 112, celui du S9012F entre 96 à 135, celui du S9012G entre 112 à 166, celui du S9012H entre 144 à 202.

Complémentaire du transistor S9012I

Le transistor NPN complémentaire du S9012I est le S9013I.

Substituts et équivalents pour le transistor S9012I

Vous pouvez remplacer le transistor S9012I par 2N4403, 2SB564A, BCX79, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550D, KTN2907, M8550, M8550-D, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, NTE193, PN200, PN2905, PN2907, S8550, S8550D, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX550 ou ZTX949.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com