Transistor bipolaire S8550D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 300
• Fréquence de transition minimum: 150 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le S8550D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor S8550D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du S8550 est compris entre 85 à 300, celui du S8550B entre 85 à 160, celui du S8550C entre 120 à 200.Le transistor NPN complémentaire du S8550D est le S8050D.Vous pouvez remplacer le transistor S8550D par 2N4403, 2SB564A, BCX79, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550D, KTN2907, M8550, M8550-D, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S9012, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX550 ou ZTX949.