Transistor bipolaire HSB1109-B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-B transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du HSB1109 est compris entre 60 à 320, celui du HSB1109-C entre 100 à 200, celui du HSB1109-D entre 160 à 320.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109-B est le HSD1609-B.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109-B par 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 ou MJE350G.