Transistor bipolaire 2SB1109-B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1109-B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB1109-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1109-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1109 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB1109-C entre 100 à 200, celui du 2SB1109-D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1109-B peut n'être marqué que B1109-B.

Complémentaire du transistor 2SB1109-B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1109-B est le 2SD1609-B.

Transistor 2SB1109-B en boîtier TO-92

Le HSB1109S-B est la version TO-92 du 2SB1109-B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1109-B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1109-B par 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, HSB1109, HSB1109-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 ou MJE350G.
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