Transistor bipolaire MJE350

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 240
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE350 est le MJD340.Vous pouvez remplacer le transistor MJE350 par KSE350 ou MJE350G.Le transistor MJE350G est la version sans plomb du MJE350.