Transistor bipolaire MJE350G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
• Tension collecteur-base maximum: -300 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 240
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126
• Le MJE350G est la version sans plomb du transistor MJE350

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE350G par KSE350 ou MJE350.