Transistor bipolaire 2SB1109

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1109 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 320. Le gain en courant continu du 2SB1109-B est compris entre 60 à 120, celui du 2SB1109-C entre 100 à 200, celui du 2SB1109-D entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1109 peut n'être marqué que B1109.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1109 est le 2SD1609.Le HSB1109S est la version TO-92 du 2SB1109.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1109 par 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1110, HSB1109, KSA1220A ou KSA1381.