Transistor bipolaire HSD1609-B

Caractéristiques électriques du transistor HSD1609-B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 145 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1609-B transistor

Brochage du HSD1609-B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor HSD1609-B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du HSD1609 est compris entre 60 à 320, celui du HSD1609-C entre 100 à 200, celui du HSD1609-D entre 160 à 320.

Complémentaire du transistor HSD1609-B

Le transistor PNP complémentaire du HSD1609-B est le HSB1109-B.

Substituts et équivalents pour le transistor HSD1609-B

Vous pouvez remplacer le transistor HSD1609-B par 2N5655, 2N5655G, 2N5656, 2N5656G, 2SC2258, 2SC2688, 2SC2688-M, 2SC2690A, 2SC2690A-R, 2SC3416, 2SC3416-D, 2SC3417, 2SC3417-D, 2SC3502, 2SC3502-D, 2SC3503, 2SC3503-D, 2SC3600, 2SC3600-D, 2SC3601, 2SC3601-D, 2SC3788, 2SC3788-D, 2SC3789, 2SC3789-D, 2SC3790, 2SC3790-D, 2SC3955, 2SC3955-D, 2SC3956, 2SC3956-D, 2SC4212, 2SD1609, 2SD1609-B, 2SD1610, 2SD1610-B, 2SD669A, 2SD669A-B, BD127, BD128, BD157, BD158, KSC2258, KSC2258A, KSC2688, KSC2688-O, KSC2690A, KSC2690A-R, KSC3502, KSC3502-D, KSC3503, KSC3503-D, KSE340, MJE340, MJE340G, MJE344, MJE3440 ou MJE344G.
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