Transistor bipolaire BD878

Caractéristiques électriques du transistor BD878

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 9 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du BD878

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD878

Le transistor NPN complémentaire du BD878 est le BD877.

Substituts et équivalents pour le transistor BD878

Vous pouvez remplacer le transistor BD878 par 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, 2SB794, 2SB794-K, 2SB794-L, 2SB794-M, 2SB795, 2SB795-K, 2SB795-L, 2SB795-M, BD880, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O, KSB1149-Y, KSB794, KSB794-O, KSB794-R, KSB794-Y, KSB795, KSB795-O, KSB795-R ou KSB795-Y.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com