Transistor bipolaire KSB1149-O

Caractéristiques électriques du transistor KSB1149-O

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149-M transistor

Brochage du KSB1149-O

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB1149-O peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSB1149 est compris entre 2000 à 20000, celui du KSB1149-G entre 6000 à 20000, celui du KSB1149-Y entre 4000 à 12000.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB1149-O

Vous pouvez remplacer le transistor KSB1149-O par 2SB1149, 2SB1149-M, BD682, BD682G ou MJE254.
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