Transistor bipolaire 2SB1067

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -8 V
• Courant collecteur continu maximum: -2 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 2000
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1067 peut n'être marqué que B1067.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1067 est le 2SD1509.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1067 par 2SB1149, 2SB1149-K, 2SB1149-L, 2SB1149-M, KSB1149, KSB1149-G, KSB1149-O ou KSB1149-Y.