Transistor bipolaire BD877
Caractéristiques électriques du transistor BD877
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 9 W
- Gain de courant (hfe): 2000
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
Brochage du BD877
Complémentaire du transistor BD877
Substituts et équivalents pour le transistor BD877
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