Transistor bipolaire KSB1149

Caractéristiques électriques du transistor KSB1149

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 15 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1149 transistor

Brochage du KSB1149

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB1149 peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 20000. Le gain en courant continu du KSB1149-G est compris entre 6000 à 20000, celui du KSB1149-O entre 2000 à 5000, celui du KSB1149-Y entre 4000 à 12000.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB1149

Vous pouvez remplacer le transistor KSB1149 par BD682, BD682G ou MJE254.
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