Transistor bipolaire KSB795-R

Caractéristiques électriques du transistor KSB795-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -8 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 5000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB795-M transistor

Brochage du KSB795-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSB795-R peut avoir un gain en courant continu de 2000 à 5000. Le gain en courant continu du KSB795 est compris entre 2000 à 30000, celui du KSB795-O entre 4000 à 10000, celui du KSB795-Y entre 8000 à 30000.

Complémentaire du transistor KSB795-R

Le transistor NPN complémentaire du KSB795-R est le KSB986-R.

Version SMD du transistor KSB795-R

Le BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) et BSP62T3G (SOT-223) est la version SMD du transistor KSB795-R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSB795-R

Vous pouvez remplacer le transistor KSB795-R par 2N6036, 2N6036G, 2SB1067, 2SB1149, 2SB1149-M, 2SB795, 2SB795-M, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G ou MJE712.
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