Transistor bipolaire 2SD1252-R

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 3 A
• Dissipation de puissance maximum: 35 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 90
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-252

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1252-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 90. Le gain en courant continu du 2SD1252 est compris entre 40 à 250, celui du 2SD1252-P entre 120 à 250, celui du 2SD1252-Q entre 70 à 150.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1252-R peut n'être marqué que D1252-R.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1252-R par 2SD1252A, 2SD1252A-R, 2SD1253, 2SD1253-R, 2SD1253A, 2SD1253A-R, MJD3055, MJD3055G, MJD3055T4 ou MJD3055T4G.