Transistor bipolaire MJD3055T4G

Caractéristiques électriques du transistor

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: V
  • Tension collecteur-base maximum: V
  • Courant collecteur continu maximum: 0 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0 W
  • Gain de courant (hfe):
  • Boîtier:

Brochage du

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor est marqué "J3055G".

Substituts et équivalents pour le transistor

Vous pouvez remplacer le transistor par MJD3055, MJD3055G ou MJD3055T4.
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