Transistor bipolaire MJD3055G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 70 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• Le MJD3055G est la version sans plomb du transistor MJD3055

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD3055G est marqué "J3055G".Le transistor PNP complémentaire du MJD3055G est le MJD2955G.Vous pouvez remplacer le transistor MJD3055G par MJD3055, MJD3055T4 ou MJD3055T4G.