Transistor bipolaire 2SD1253-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1253-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 90
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252

Brochage du 2SD1253-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1253-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 90. Le gain en courant continu du 2SD1253 est compris entre 40 à 250, celui du 2SD1253-P entre 120 à 250, celui du 2SD1253-Q entre 70 à 150.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1253-R peut n'être marqué que D1253-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1253-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1253-R par 2SD1253A, 2SD1253A-R, MJD3055, MJD3055G, MJD3055T4 ou MJD3055T4G.
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