Transistor bipolaire MJD3055T4

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 70 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD3055T4 est marqué "J3055".Vous pouvez remplacer le transistor MJD3055T4 par MJD3055, MJD3055G ou MJD3055T4G.