Transistor bipolaire MJD3055

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 70 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-252
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD3055 est marqué "J3055".Le transistor PNP complémentaire du MJD3055 est le MJD2955.Vous pouvez remplacer le transistor MJD3055 par MJD3055G, MJD3055T4 ou MJD3055T4G.Le transistor MJD3055G est la version sans plomb du MJD3055.