Transistor bipolaire MJ11021G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -250 V
• Tension collecteur-base maximum: -250 V
• Tension émetteur-base maximum: -50 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 175 W
• Gain de courant (h_fe): 400 à 15000
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3
• Le MJ11021G est la version sans plomb du transistor MJ11021

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJ11021G est le MJ11022G.Vous pouvez remplacer le transistor MJ11021G par MJ11021.