Transistor bipolar STD01N-O

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 100 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 5000 a 12000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P-5WO4

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor STD01N-O puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 12000. La ganancia del STD01N estará en el rango de 5000 a 20000, para el STD01N-Y estará en el rango de 8000 a 20000.El transistor PNP complementario del STD01N-O es el STD01P-O.Puede sustituir el STD01N-O por el STD02N, STD02N-O, STD03N o STD03N-O.