Transistor bipolar STD03N-O

Características del transistor STD03N-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 160 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 12000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO4

Diagrama de pines del STD03N-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD03N-O puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 12000. La ganancia del STD03N estará en el rango de 5000 a 20000, para el STD03N-Y estará en el rango de 8000 a 20000.

Equivalent circuit

STD03N-O equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del STD03N-O es el STD03P-O.
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