Transistor bipolar STD01P-O
Características del transistor STD01P-O
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 12000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P-5WO2
Diagrama de pines del STD01P-O
Clasificación de hFE
Equivalent circuit
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor STD01P-O
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