Transistor bipolar STD01P-O

Características del transistor STD01P-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 12000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO2

Diagrama de pines del STD01P-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD01P-O puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 12000. La ganancia del STD01P estará en el rango de 5000 a 20000, para el STD01P-Y estará en el rango de 8000 a 20000.

Equivalent circuit

STD01P-O equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del STD01P-O es el STD01N-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor STD01P-O

Puede sustituir el STD01P-O por el STD02P, STD02P-O, STD03P o STD03P-O.
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