Transistor bipolar STD02N

Características del transistor STD02N

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 130 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO4

Diagrama de pines del STD02N

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD02N puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 20000. La ganancia del STD02N-O estará en el rango de 5000 a 12000, para el STD02N-Y estará en el rango de 8000 a 20000.

Equivalent circuit

STD02N equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del STD02N es el STD02P.

Sustitución y equivalentes para el transistor STD02N

Puede sustituir el STD02N por el STD03N.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com