Transistor bipolar STD01N

Características del transistor STD01N

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO4

Diagrama de pines del STD01N

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD01N puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 20000. La ganancia del STD01N-O estará en el rango de 5000 a 12000, para el STD01N-Y estará en el rango de 8000 a 20000.

Equivalent circuit

STD01N equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del STD01N es el STD01P.

Sustitución y equivalentes para el transistor STD01N

Puede sustituir el STD01N por el STD02N o STD03N.
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