Transistor bipolar STD01N-Y

Características del transistor STD01N-Y

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 8000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P-5WO4

Diagrama de pines del STD01N-Y

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor STD01N-Y puede tener una ganancia de corriente de 8000 a 20000. La ganancia del STD01N estará en el rango de 5000 a 20000, para el STD01N-O estará en el rango de 5000 a 12000.

Equivalent circuit

STD01N-Y equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del STD01N-Y es el STD01P-Y.

Sustitución y equivalentes para el transistor STD01N-Y

Puede sustituir el STD01N-Y por el STD02N, STD02N-Y, STD03N o STD03N-Y.
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