Bipolartransistor SS9012G

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS9012G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 112 bis 166
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS9012G

Der SS9012G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS9012G kann eine Gleichstromverstärkung von 112 bis 166 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS9012 liegt im Bereich von 64 bis 202, die des SS9012D im Bereich von 64 bis 91, die des SS9012E im Bereich von 78 bis 112, die des SS9012F im Bereich von 96 bis 135, die des SS9012H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum SS9012G ist der SS9013G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS9012G

Sie können den Transistor SS9012G durch einen 2N4403, 2SA643, 2SA695, 2SA695-D, 2SB564A, KN2907, KSA643, KSB564A, KTC8550, KTC8550C, KTC9012, KTN2907, M8550, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6534, MPS6535, MPS6562, MPS6563, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN2905, PN2907, S8550, S9012, S9012G, SS8550, ZTX549, ZTX948 oder ZTX949 ersetzen.
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