Bipolartransistor SS9012

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS9012

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 64 bis 202
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS9012

Der SS9012 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS9012 kann eine Gleichstromverstärkung von 64 bis 202 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS9012D liegt im Bereich von 64 bis 91, die des SS9012E im Bereich von 78 bis 112, die des SS9012F im Bereich von 96 bis 135, die des SS9012G im Bereich von 112 bis 166, die des SS9012H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum SS9012 ist der SS9013.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS9012

Sie können den Transistor SS9012 durch einen 2SA643, 2SA695, KSA643, KTC9012, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G oder S9012 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com