Bipolartransistor SS9013G

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS9013G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 112 bis 166
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS9013G

Der SS9013G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS9013G kann eine Gleichstromverstärkung von 112 bis 166 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS9013 liegt im Bereich von 64 bis 202, die des SS9013D im Bereich von 64 bis 91, die des SS9013E im Bereich von 78 bis 112, die des SS9013F im Bereich von 96 bis 135, die des SS9013H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum SS9013G ist der SS9012G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS9013G

Sie können den Transistor SS9013G durch einen 2N4401, 2N5172, 2SC1209, 2SC1209-D, 2SD261, 2SD471A, KN2222, KN2222A, KSP2222A, KTC8050, KTC8050C, KTC9013, KTN2222, KTN2222A, MPS2222, MPS2222A, MPS2222AG, MPS2222G, MPS3414, MPS3704, MPS3706, MPS650, MPS650G, MPS6531, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6561, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, NTE123AP, P2N2222A, P2N2222AG, PN2219, PN2219A, PN2222, PN2222A, PN3569, S8050, S9013, S9013G, SS8050 oder ZTX449 ersetzen.
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