Bipolartransistor SS9012E

Elektrische Eigenschaften des Transistors SS9012E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 78 bis 112
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des SS9012E

Der SS9012E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor SS9012E kann eine Gleichstromverstärkung von 78 bis 112 haben. Die Gleichstromverstärkung des SS9012 liegt im Bereich von 64 bis 202, die des SS9012D im Bereich von 64 bis 91, die des SS9012F im Bereich von 96 bis 135, die des SS9012G im Bereich von 112 bis 166, die des SS9012H im Bereich von 144 bis 202.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum SS9012E ist der SS9013E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor SS9012E

Sie können den Transistor SS9012E durch einen 2N4402, 2SA643, 2SA643O, 2SA695, 2SB564A, 2SB564AO, KSA643, KSA643O, KSB564A, KSB564AO, KTC9012, KTC9012E, MPS3702, MPS6533, MPS6535, MPS6562, MPS6563, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN2904, PN2906, S9012 oder S9012E ersetzen.
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